三星电子将采用台积电的3纳米工艺为英伟达的下一代定制高带宽内存（HBM）生产基础芯片，这将是三星首次与台积电在HBM制造阶段展开合作。

消息人士称，英伟达已要求三星、SK海力士和美光科技采用台积电的工艺制造NVHBM基础芯片，并采用第六代DRAM技术制造核心芯片。三星据悉在内部审查后接受了英伟达的要求，但计划保留其内部生产模式，用于生产标准HBM和为其他客户定制的产品。

英伟达8月发布的NVHBM将英伟达的定制内存控制器集成到基础芯片中，旨在实现多个内存供应商之间的标准化实施。

—— 财联社